中国空间站近日在微重力环境下成功完成一项新型半导体材料生长实验，中国站成这一突破将推动我国在电子材料领域的空间自主创新能力。功完来源：中国国家航天局 显著提升电学性能。成新实现了材料原子级排列优化，型材为未来高性能芯片制造提供关键技术支撑。料实科研人员利用空间站特有的中国站成无重力条件，